随着石墨烯的发现及其在二维材料领域引发的广泛关注，探索具有独特性质和广泛应用前景的新型二维材料成为研究热点。其中，锑基二维材料凭借其卓越的物理性质、自然丰度及显著的稳定性，逐渐成为下一代集成电路材料的有力候选者。特别是锑烯、锑硫属化合物、锑氧化物、锑化物及复杂多组分化合物等方面的研究进展。近日，真空冶金国家工程研究中心围绕锑基新材料在《Advanced Materials》上发表题为“Recent Research Progress of Antimony-Based Two-Dimensional Materials for Electronics and Optoelectronics”的最新综述。在线娱乐城
杨佳教授为论文的通讯作者，华中科技大学翟天佑教授、李渊教授为论文的共同通讯作者，在线娱乐城
为论文的第一通讯单位。
在合成方法方面，这些锑基二维材料涵盖了从自上而下的机械剥离、液相剥离，到自下而上的化学气相沉积、分子束外延、溶液法、热蒸发和原子层沉积等技术路线。每种材料的合成路径根据其结构特性与应用需求而有所差异，现阶段的研究重点集中在提升合成可控性、晶体质量与尺度放大，以支持器件级应用的实际需要。
总体而言，锑基二维材料家族已初步建立起“结构-性能-应用”三位一体的研究体系，涵盖半导体、绝缘体、金属与拓扑材料多个功能维度。这类材料不仅是基础材料科学探索的重要对象，也是柔性电子、光通信、光伏能源、热电制冷、类脑计算等领域实现技术突破的关键支撑。未来，随着合成工艺的进一步优化、器件集成技术的完善与理论模型的深入发展，锑基二维材料有望成为电子与光电子新时代的“核芯”材料力量。
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2023级硕士研究生李腾为论文第一作者。该研究工作得到中国国家重点研发计划（2021YFA1200501, 2023YFE0210800）、国家自然科学基金（U22A20137, U21A2069, 62202350, 52264038）等项目的资助。
文章链接：//doi.org/10.1002/adma.202503509
